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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
60
62
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
60
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2813
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
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Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
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