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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
AMD R748G2400U2S 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs AMD R748G2400U2S 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
AMD R748G2400U2S 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
AMD R748G2400U2S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
62
En -170% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
23
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2686
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
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