RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
53
62
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.2
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
53
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
20.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2476
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link