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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
62
En -77% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
35
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
2705
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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