RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
42
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.1
11.4
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
30
42
Velocidad de lectura, GB/s
11.4
12.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1762
1892
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C-PB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G1600L81S 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link