RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
65
En -117% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
3226
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6BFR8A
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link