RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
65
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
3001
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kllisre 0000 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link