RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
65
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2876
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link