RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
65
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2608
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT51264BF1339.M16F 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link