RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
58
En 59% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
16
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
58
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2125
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link