RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
28
En 14% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
16
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
28
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3128
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link