RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
33
En 27% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
16
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
33
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2949
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link