RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
24
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
22
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3394
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link