RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
77
En 69% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
77
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
1549
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link