RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Compara
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Puntuación global
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
17.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,160.7
12.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
43
En -19% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
36
Velocidad de lectura, GB/s
5,987.5
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,160.7
12.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
957
3169
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link