RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Compara
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Puntuación global
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Puntuación global
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
17.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,160.7
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
43
En -54% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
28
Velocidad de lectura, GB/s
5,987.5
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,160.7
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
957
3705
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link