RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Compara
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Puntuación global
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,160.7
11.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
43
En -72% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
25
Velocidad de lectura, GB/s
5,987.5
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,160.7
11.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
957
2164
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Nanya Technology M2Y1G64TU88D4B-AC 1GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link