RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Compara
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Puntuación global
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
15.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,160.7
12.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
43
En -23% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
35
Velocidad de lectura, GB/s
5,987.5
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,160.7
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
957
3090
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link