RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Compara
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Puntuación global
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
17.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,160.7
13.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
43
En -95% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
22
Velocidad de lectura, GB/s
5,987.5
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,160.7
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
957
2666
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link