RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Compara
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
43
En -16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.5
5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.7
2,160.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
37
Velocidad de lectura, GB/s
5,987.5
9.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,160.7
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
957
1949
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link