RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
57
En -78% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
32
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
3247
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link