RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Compara
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2418
3568
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link