RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Compara
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Puntuación global
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
86
En 59% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
6.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
86
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.5
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1994
1658
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link