RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Compara
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Puntuación global
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
73
En -192% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
4.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
25
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
4.7
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1021
2740
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link