RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Compara
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
73
En -306% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
6.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
4.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
8500
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
73
18
Velocidad de lectura, GB/s
6.1
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
4.7
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
17000
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1021
3668
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link