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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Puntuación global
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
38
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
25
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2144
2542
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
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