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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Compara
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB vs SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
38
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.9
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2144
3082
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
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