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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Compara
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Puntuación global
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En 13% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
14.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.2
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2277
3188
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
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Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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