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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
42
En -24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.1
6.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
6.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
34
Velocidad de lectura, GB/s
6.4
11.1
Velocidad de escritura, GB/s
6.7
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1632
2319
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
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