RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Compara
Kingston 9965669-018.A00G 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
31
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
8.3
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
31
24
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2460
2925
Kingston 9965669-018.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link