RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Compara
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB vs InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Puntuación global
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Puntuación global
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
32
En 22% menor latencia
Razones a tener en cuenta
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
5.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
32
Velocidad de lectura, GB/s
9.7
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
5.3
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
2714
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link