RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Compara
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Puntuación global
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,036.1
10.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
75
En -97% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
38
Velocidad de lectura, GB/s
3,986.4
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,036.1
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
714
2394
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9905316-005.A04LF 1GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Informar de un error
×
Bug description
Source link