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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Compara
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Puntuación global
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
40
En -14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.2
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2125
3306
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
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