RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Compara
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Puntuación global
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Puntuación global
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
29
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1620
3113
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Corsair CMZ8GX3M1A1866C10 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8GX 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link