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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB

Puntuación global
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Puntuación global
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TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB

TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Razones a tener en cuenta
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    11.5 left arrow 11.2
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.5 left arrow 5.4
    Valor medio en las pruebas
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB Razones a tener en cuenta
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    25 left arrow 27
    En -8% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    12800 left arrow 10600
    En 1.21 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 25
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.5 left arrow 11.2
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.5 left arrow 5.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1756 left arrow 1853

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB

TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Memoria RAM
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