RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Compara
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Puntuación global
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
13.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
48
En -45% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
48
33
Velocidad de lectura, GB/s
16.8
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
13.6
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2895
2987
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link