RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Compara
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB vs Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Puntuación global
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Puntuación global
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
36
En -64% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
9.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
22
Velocidad de lectura, GB/s
14.5
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.7
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2465
3036
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link