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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Compara
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
10.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
37
En -16% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
37
32
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
10.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2595
2370
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
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A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
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