RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Compara
Kingston KNWMX1-ETB 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Puntuación global
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
44
En -63% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
11.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KNWMX1-ETB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
27
Velocidad de lectura, GB/s
11.2
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1855
2575
Kingston KNWMX1-ETB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R538G1601S2LS 8GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link