RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Compara
Kingston KP223C-ELD 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Puntuación global
Kingston KP223C-ELD 2GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KP223C-ELD 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
27
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
8.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.8
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2137
2994
Kingston KP223C-ELD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link