RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Compara
Kingston KVR533D2N4 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
75
En -178% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
27
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
3693
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link