RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Compara
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Puntuación global
Kingston KVR533D2N4 512MB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR533D2N4 512MB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
37
75
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.1
1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.6
1,672.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
4200
En 4.05 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
75
37
Velocidad de lectura, GB/s
1,943.5
9.1
Velocidad de escritura, GB/s
1,672.1
7.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
4200
17000
Other
Descripción
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
301
2046
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 9965516-048.A00LF 8GB
Kingston 9965516-100.A00LF 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link