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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Compara
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Puntuación global
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Puntuación global
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
18
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
50
En -61% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
1,905.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
31
Velocidad de lectura, GB/s
5,143.3
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,905.1
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
855
3711
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
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