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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En -12% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.3
7.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
8500
En 2.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
26
Velocidad de lectura, GB/s
10.5
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
17.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
21300
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1425
3938
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
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