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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Compara
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
99
En 71% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.1
6.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.1
10.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
99
Velocidad de lectura, GB/s
10.5
13.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.1
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1425
1358
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
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