RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
21.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
16.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
58
En -222% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
18
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
21.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
16.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
3889
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link