RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Compara
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Puntuación global
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
17.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
58
En -123% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
58
26
Velocidad de lectura, GB/s
4,025.3
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,107.0
17.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
670
3885
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link