RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
51
En -122% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.9
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
23
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2938
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link