RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
51
En -122% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
23
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
21.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
23
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
23.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
21.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
4565
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-12800CL11-4GBSQ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link