RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Compara
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
51
En -122% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
23
Velocidad de lectura, GB/s
15.6
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2687
2935
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link